倍增我现国垄断产化打破国硅光电器实

近日，打破我國高性能硅光電倍增器（SiPM）國產(chǎn)化取得重大突破。壟斷記者從中廣核核技術(shù)發(fā)展有限公司獲悉，國硅光電由其旗下中廣核京師光電科技（天津）有限公司打造的倍增高性能硅光電倍增器封裝產(chǎn)線成功通線，并提前達(dá)成器件良率超90%的器實(shí)目標(biāo)，標(biāo)志著國內(nèi)高性能硅光電倍增器產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，現(xiàn)國打破國外長(zhǎng)期壟斷局面。產(chǎn)化

硅光電倍增器作為核心光電轉(zhuǎn)換器件，因其高靈敏度、壟斷低噪聲、國硅光電低功耗等顯著優(yōu)勢(shì)，倍增在核醫(yī)療影像、器實(shí)核測(cè)控裝備、現(xiàn)國高能物理研究、產(chǎn)化生物科學(xué)等前沿領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，打破潛力巨大。此前，國內(nèi)硅光電倍增器市場(chǎng)長(zhǎng)期被國外企業(yè)主導(dǎo)，實(shí)現(xiàn)相關(guān)核心元器件自主可控已被明確列入國家《核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動(dòng)方案（2024-2026）》。

為攻克這一技術(shù)，中廣核技攜手北京師范大學(xué)共同設(shè)立中京光電，以完全擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的外延電阻淬滅（EQR）硅光電倍增器、位置靈敏硅光電倍增器等技術(shù)為抓手，積極推動(dòng)科技成果轉(zhuǎn)化。此次產(chǎn)線成功通線及高良率目標(biāo)的達(dá)成，有效填補(bǔ)了國內(nèi)高性能硅光電倍增器產(chǎn)品的空白，為產(chǎn)業(yè)鏈安全穩(wěn)定提供了有力保障。

中京光電總經(jīng)理王曉峰表示，“半導(dǎo)體光敏傳感器量產(chǎn)對(duì)環(huán)境和工藝要求極為嚴(yán)苛，為此，公司斥資建設(shè)了最高達(dá)百級(jí)的高標(biāo)準(zhǔn)潔凈廠房，并自主設(shè)計(jì)、建設(shè)了集標(biāo)準(zhǔn)化工藝生產(chǎn)、質(zhì)量控制等功能于一體的高水平封裝產(chǎn)線”。接下來，企業(yè)將緊密圍繞市場(chǎng)需求和客戶反饋，持續(xù)優(yōu)化提升硅光電倍增器產(chǎn)品性能。